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    与双极设备形成对比的是，MOSFET 开关属于压控设备。对于MOSFET来说，其开关导通/截止状态的控制所采用的门极控制电压类似于某些双极晶体管的基极电流控制。实际上，为了获得高速的MOSFET导通/截止，经常采用具有较强正/反向电流驱动能力的驱动器。为了实现此目的，本节提出了几个电路以供参考，但是没有对它们进行深入分析。

    对于一个N沟道的MOSFET来说，给出了其最简单的驱动器形式。上侧的双极晶体管负责导通，下侧的双  Vn极晶体管负责截止。通过引入一个电容创建电容耦合驱动器。此改进方案提供了一个更大的正向上涌电流，导通时，给内置的门源电容充电。很止时，耦合电容和下端的驱动器为MOSFET的门极提供个短时间的负电压，

   电容概合型N沟道MOSFET重动器  MOSFET更动器的修改可以通过引入一个二极管来实现对门极驱动电压做出更多的调整，可以给出两个不同的导通/截止驱动时间常数。可以引入个变压 器实现浮动驱动，通过变压器的耦合，也可以实现隔离功能。毫无疑问，这系列的改进方法显示了此类分析方法的强大与魅力。

   开/关观服家动器也就实现了中陶道MOSET的导通做止。对用于动事开关的P内通MOSFET,建立其配简单的驱动器电路、如果老门一面内相间周12160防楼 个电容，可以实观浪通抑制功能，在导通阶段，电容电压的最时特性使得P内道设备银值在程室品围变化时，能动器网络可能不会对能入电压产生个可变电阻。当输入电压响应。

一个齐纳二极管和电阻的组合使得输入变化不再相干，从而该驱动器克服了低输入电压的问题。此外，也直接连接的二极管也提升了电路的开关速度。